EGP30CHE3/73
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| Numero parte | EGP30CHE3/73 |
| PNEDA Part # | EGP30CHE3-73 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.840 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 19 - nov 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGP30CHE3/73 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EGP30CHE3/73 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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EGP30CHE3/73 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2000V Corrente - Media Rettificata (Io) 400A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 800A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 9µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 50mA @ 2000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AA, A-PUK Pacchetto dispositivo fornitore DO-200AA, R62 Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 4.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 650V Capacità @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-276AA Pacchetto dispositivo fornitore TO-276 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 250°C |
