EGF1DHE3_A/H
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| Numero parte | EGF1DHE3_A/H |
| PNEDA Part # | EGF1DHE3_A-H |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.572 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 21 - feb 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGF1DHE3_A/H Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EGF1DHE3_A/H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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EGF1DHE3_A/H Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214BA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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