EDFP112A3PB-JD-F-R TR
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| Numero parte | EDFP112A3PB-JD-F-R TR |
| PNEDA Part # | EDFP112A3PB-JD-F-R-TR |
| Descrizione | IC DRAM 24G PARALLEL 933MHZ |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.856 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 8 - nov 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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EDFP112A3PB-JD-F-R TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EDFP112A3PB-JD-F-R TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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EDFP112A3PB-JD-F-R TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Dimensione della memoria | 24Gb (192M x 128) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 933MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II+ Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 550MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
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Produttore Silicon Motion, Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-S Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 60ns Tempo di accesso 110ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-FBGA (9x9) |
