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E64/10/50-3C97-A1000-E

E64/10/50-3C97-A1000-E

Solo per riferimento

Numero parte E64/10/50-3C97-A1000-E
PNEDA Part # E64-10-50-3C97-A1000-E
Descrizione PLANAR E CORES
Produttore Ferroxcube
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.190
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

E64/10/50-3C97-A1000-E Risorse

Brand Ferroxcube
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteE64/10/50-3C97-A1000-E
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite
Datasheet
E64/10/50-3C97-A1000-E, E64/10/50-3C97-A1000-E Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 76,23 KB)
PDFE64/10/50-3C95-A630-P Datasheet Copertura
E64/10/50-3C95-A630-P Datasheet Pagina 2 E64/10/50-3C95-A630-P Datasheet Pagina 3

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E64/10/50-3C97-A1000-E Specifiche

ProduttoreFerroxcube
Serie*
Tipo di nucleoE
Pacchetto dispositivo fornitoreE 64 x 10 x 50
Materiale3C97
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)-
Tolleranza-
Gap-
Permeabilità effettiva (µe)-
Permeabilità iniziale (µi)-
Core Factor (ΣI / A) mm 1 -
Lunghezza effettiva (le) mm-
Area effettiva (Ae) mm²-
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³-
FineUncoated
Altezza10.20mm
Lunghezza64.00mm
Larghezza50.80mm

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Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 64 x 10 x 50

Materiale

3C92

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

10.20mm

Lunghezza

64.00mm

Larghezza

50.80mm

B64290L0044X027

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B64290

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

N27

Diametro

13.60mm

Fattore di induttanza (Al)

1.02µH

Tolleranza

±25%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

2000

Core Factor (ΣI / A) mm 1

2.46

Lunghezza effettiva (le) mm

30.09

Area effettiva (Ae) mm²

12.23

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

368

Fine

Epoxy

Altezza

5.95mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

E32/6/20-3F4-A630-P

Ferroxcube

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 32 x 6 x 20

Materiale

3F4

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

6.35mm

Lunghezza

31.75mm

Larghezza

20.32mm

B66285U0250A187

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

-

Tipo di nucleo

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

-

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

-

Altezza

-

Lunghezza

-

Larghezza

-

B65661T0630A048

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B65661

Tipo di nucleo

P (Pot Core)

Pacchetto dispositivo fornitore

P 22 x 13

Materiale

N48

Diametro

22.00mm

Fattore di induttanza (Al)

630nH

Tolleranza

±3%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

251

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.5

Lunghezza effettiva (le) mm

31.6

Area effettiva (Ae) mm²

63

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

1990

Fine

Uncoated

Altezza

6.80mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

Venduto di recente

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

ESD9X5.0ST5G

ESD9X5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

MC7815ACTG

MC7815ACTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 15V 1A TO220AB

RT0603DRD07200RL

RT0603DRD07200RL

Yageo

RES SMD 200 OHM 0.5% 1/10W 0603

ADF4360-7BCPZRL7

ADF4360-7BCPZRL7

Analog Devices

IC SYNTHESIZER VCO 24LFCSP

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

NUC2401MNTAG

NUC2401MNTAG

ON Semiconductor

CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

W25Q80DVSVIG

W25Q80DVSVIG

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

TDK

FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN