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E36/21/12-3F36-G200

E36/21/12-3F36-G200

Solo per riferimento

Numero parte E36/21/12-3F36-G200
PNEDA Part # E36-21-12-3F36-G200
Descrizione E CORES
Produttore Ferroxcube
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 4 - dic 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

E36/21/12-3F36-G200 Risorse

Brand Ferroxcube
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteE36/21/12-3F36-G200
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite
Datasheet
E36/21/12-3F36-G200, E36/21/12-3F36-G200 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 67,57 KB)
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E36/21/12-3F36-G200 Specifiche

ProduttoreFerroxcube
Serie*
Tipo di nucleoE
Pacchetto dispositivo fornitoreE 36 x 21 x 12
Materiale3F36
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)-
Tolleranza-
Gap-
Permeabilità effettiva (µe)-
Permeabilità iniziale (µi)-
Core Factor (ΣI / A) mm 1 -
Lunghezza effettiva (le) mm-
Area effettiva (Ae) mm²-
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³-
FineUncoated
Altezza21.75mm
Lunghezza36.00mm
Larghezza12.00mm

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Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

EFD

Pacchetto dispositivo fornitore

EFD 10 x 5 x 3

Materiale

3F36

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

63nH

Tolleranza

±8%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

165

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

3.29

Lunghezza effettiva (le) mm

23.7

Area effettiva (Ae) mm²

7.2

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

6.5

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

171

Fine

Uncoated

Altezza

5.20mm

Lunghezza

10.50mm

Larghezza

2.70mm

B62110A2049X022

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B62110

Tipo di nucleo

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

-

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

-

Altezza

-

Lunghezza

-

Larghezza

-

B66285K0000X192

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B66285

Tipo di nucleo

I

Pacchetto dispositivo fornitore

I 22 x 2.5 x 16

Materiale

N92

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

2.50mm

Lunghezza

21.80mm

Larghezza

15.80mm

B64290L0084X065

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B64290

Tipo di nucleo

Toroid

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Materiale

T65

Diametro

104.80mm

Fattore di induttanza (Al)

6.5µH

Tolleranza

±30%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

5000

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.96

Lunghezza effettiva (le) mm

255.3

Area effettiva (Ae) mm²

267.2

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

68220

Fine

Epoxy

Altezza

16.50mm

Lunghezza

-

Larghezza

-

B65813J0000R030

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B65813

Tipo di nucleo

RM

Pacchetto dispositivo fornitore

RM 10

Materiale

N30

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

7.6µH

Tolleranza

-20%, +30%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

2720

Permeabilità iniziale (µi)

4300

Core Factor (ΣI / A) mm 1

0.45

Lunghezza effettiva (le) mm

44

Area effettiva (Ae) mm²

98

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

90

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

4310

Fine

Uncoated

Altezza

9.35mm

Lunghezza

28.50mm

Larghezza

13.50mm

Venduto di recente

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

N25Q256A13EF840E

N25Q256A13EF840E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN

SMBJ33CA

SMBJ33CA

Semtech

1-LINE 33V 11.3A TVS DO-214AA

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

MAX6315US31D3+T

MAX6315US31D3+T

Maxim Integrated

IC RESET CIRCUIT 3.08V SOT143-4

IS62WV51216BLL-55TLI

IS62WV51216BLL-55TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

XC7A100T-2FGG484I

XC7A100T-2FGG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FBGA

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

AT43USB355E-AC

AT43USB355E-AC

Microchip Technology

IC USB MCU W/HUB,ADC,PWM 64LQFP

EPCQ64SI16N

EPCQ64SI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

SSC54HE3_A/H

SSC54HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

AK4951EN

AK4951EN

AKM Semiconductor Inc.

IC STEREO CODEC 24BIT 32QFN