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E18/4/10-3C92

E18/4/10-3C92

Solo per riferimento

Numero parte E18/4/10-3C92
PNEDA Part # E18-4-10-3C92
Descrizione PLANAR E CORES
Produttore Ferroxcube
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.984
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

E18/4/10-3C92 Risorse

Brand Ferroxcube
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteE18/4/10-3C92
CategoriaPotenzaMagneticanuclei di ferrite
Datasheet
E18/4/10-3C92, E18/4/10-3C92 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 76,71 KB)
PDFE18/4/10-4F1-A100-P Datasheet Copertura
E18/4/10-4F1-A100-P Datasheet Pagina 2 E18/4/10-4F1-A100-P Datasheet Pagina 3

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E18/4/10-3C92 Specifiche

ProduttoreFerroxcube
Serie*
Tipo di nucleoE
Pacchetto dispositivo fornitoreE 18 x 4 x 10
Materiale3C92
Diametro-
Fattore di induttanza (Al)-
Tolleranza-
Gap-
Permeabilità effettiva (µe)-
Permeabilità iniziale (µi)-
Core Factor (ΣI / A) mm 1 -
Lunghezza effettiva (le) mm-
Area effettiva (Ae) mm²-
Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²-
Volume magnetico effettivo (Ve) mm³-
FineUncoated
Altezza4.00mm
Lunghezza18.00mm
Larghezza10.00mm

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 22 x 6 x 16

Materiale

3C92

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

5.70mm

Lunghezza

21.80mm

Larghezza

15.80mm

B65841A0000R045

TDK-EPCOS

Produttore

EPCOS (TDK)

Serie

B65841

Tipo di nucleo

EP

Pacchetto dispositivo fornitore

EP 10

Materiale

N45

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

1.6µH

Tolleranza

-20%, +30%

Gap

Ungapped

Permeabilità effettiva (µe)

2160

Permeabilità iniziale (µi)

3800

Core Factor (ΣI / A) mm 1

1.7

Lunghezza effettiva (le) mm

19.2

Area effettiva (Ae) mm²

11.3

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

8.5

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

217

Fine

Uncoated

Altezza

5.20mm

Lunghezza

11.80mm

Larghezza

7.85mm

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 55 x 28 x 21

Materiale

3C94

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

27.50mm

Lunghezza

56.20mm

Larghezza

21.00mm

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

E

Pacchetto dispositivo fornitore

E 32 x 6 x 20

Materiale

3F36

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

-

Tolleranza

-

Gap

-

Permeabilità effettiva (µe)

-

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

-

Lunghezza effettiva (le) mm

-

Area effettiva (Ae) mm²

-

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

-

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

-

Fine

Uncoated

Altezza

6.35mm

Lunghezza

31.75mm

Larghezza

20.32mm

RM4/I-3C95-A100

Ferroxcube

Produttore

Ferroxcube

Serie

*

Tipo di nucleo

RM

Pacchetto dispositivo fornitore

RM 4

Materiale

3C95

Diametro

-

Fattore di induttanza (Al)

100nH

Tolleranza

±3%

Gap

Gapped

Permeabilità effettiva (µe)

134

Permeabilità iniziale (µi)

-

Core Factor (ΣI / A) mm 1

1.69

Lunghezza effettiva (le) mm

23.3

Area effettiva (Ae) mm²

13.8

Sezione trasversale minima del nucleo (Amin) mm²

11.5

Volume magnetico effettivo (Ve) mm³

322

Fine

Uncoated

Altezza

10.40mm

Lunghezza

11.00mm

Larghezza

9.80mm

Venduto di recente

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

AD5254BRUZ1-RL7

AD5254BRUZ1-RL7

Analog Devices

IC DGTL POT 1KOHM 256TAP 20TSSOP

MTP50P03HDLG

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

MT40A256M16GE-083E IT:B

MT40A256M16GE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

LM7805CT

LM7805CT

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO220AB

XC7A100T-2FGG484I

XC7A100T-2FGG484I

Xilinx

IC FPGA 285 I/O 484FBGA

AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 48LQFP

IS66WVE4M16EALL-70BLI

IS66WVE4M16EALL-70BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA

MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

LTM4625IY#PBF

LTM4625IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563