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DXT2013P5-13

DXT2013P5-13

Solo per riferimento

Numero parte DXT2013P5-13
PNEDA Part # DXT2013P5-13
Descrizione TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.516
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DXT2013P5-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDXT2013P5-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
DXT2013P5-13, DXT2013P5-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 205,18 KB)
PDFDXT2013P5-13 Datasheet Copertura
DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 2 DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 3 DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 4 DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 5 DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 6 DXT2013P5-13 Datasheet Pagina 7

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DXT2013P5-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic340mV @ 400mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)20nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 1V
Potenza - Max3.2W
Frequenza - Transizione125MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaPowerDI™ 5
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI™ 5

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

TN6714A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 1A, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-226-3

JAN2N2605

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/354

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-46-3

FZT600TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

140V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 10mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MJD340

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.56W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

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