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DTC113EM3T5G

DTC113EM3T5G

Solo per riferimento

Numero parte DTC113EM3T5G
PNEDA Part # DTC113EM3T5G
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.028
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DTC113EM3T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDTC113EM3T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DTC113EM3T5G, DTC113EM3T5G Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 128,42 KB)
PDFMMUN2230LT1G Datasheet Copertura
MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 2 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 3 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 4 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 5 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 6 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 7 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 8 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 9 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 10 MMUN2230LT1G Datasheet Pagina 11

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DTC113EM3T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce3 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max260mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-723

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

100MHz

Potenza - Max

330mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

DTC343TKT146

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

DRA9143Z0L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3-B

PDTD113ZUF

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

225MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

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SC-70, SOT-323

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