DST860S-A
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| Numero parte | DST860S-A |
| PNEDA Part # | DST860S-A |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B |
| Produttore | Littelfuse |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.066 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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DST860S-A Risorse
| Brand | Littelfuse |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DST860S-A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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DST860S-A Specifiche
| Produttore | Littelfuse Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 60V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 60V |
| Capacità @ Vr, F | 502pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 240A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 240A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 35V Capacità @ Vr, F 60pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore Mini3-G1 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 35A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 190°C |
