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DSI30-12AS-TRL

DSI30-12AS-TRL

Solo per riferimento

Numero parte DSI30-12AS-TRL
PNEDA Part # DSI30-12AS-TRL
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 35.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DSI30-12AS-TRL Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDSI30-12AS-TRL
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
DSI30-12AS-TRL, DSI30-12AS-TRL Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 124,41 KB)
PDFDSI30-12AS-TUB Datasheet Copertura
DSI30-12AS-TUB Datasheet Pagina 2 DSI30-12AS-TUB Datasheet Pagina 3 DSI30-12AS-TUB Datasheet Pagina 4 DSI30-12AS-TUB Datasheet Pagina 5

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DSI30-12AS-TRL Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.29V @ 30A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr40µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F10pF @ 400V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB (D²PAK)
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C

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1N459

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25nA @ 175V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

CDBK0530

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

100pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123F

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

SK86C M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N1346A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

D170S25BS1XPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

255A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.3V @ 800A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 2500V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

140°C (Max)

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