DS1250AB-100IND+
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| Numero parte | DS1250AB-100IND+ | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DS1250AB-100IND | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 21 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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DS1250AB-100IND+ Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DS1250AB-100IND+ |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
DS1250AB-100IND+, DS1250AB-100IND+ Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 236,32 KB)
  
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DS1250AB-100IND+ Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100ns |
| Tempo di accesso | 100ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.75V ~ 5.25V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-EDIP |
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