DS1230Y-120IND
Solo per riferimento
| Numero parte | DS1230Y-120IND | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | DS1230Y-120IND_5B | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Maxim Integrated | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
|
||||||||||||||||||
| Disponibile | 3 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
DS1230Y-120IND Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DS1230Y-120IND |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
DS1230Y-120IND, DS1230Y-120IND Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 216,05 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DS1230Y-120IND Datasheet
- where to find DS1230Y-120IND
- Maxim Integrated
- Maxim Integrated DS1230Y-120IND
- DS1230Y-120IND PDF Datasheet
- DS1230Y-120IND Stock
- DS1230Y-120IND Pinout
- Datasheet DS1230Y-120IND
- DS1230Y-120IND Supplier
- Maxim Integrated Distributor
- DS1230Y-120IND Price
- DS1230Y-120IND Distributor
DS1230Y-120IND Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 16Kb (2K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 55ns Tempo di accesso 55ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 52-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 52-PLCC (19.13x19.13) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (8x12.5) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 0.6V, 1.1V Temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria RAM Tecnologia SARAM Dimensione della memoria 64Kb (4K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 80-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 80-TQFP (14x14) |
