DS1230Y-120IND+
Solo per riferimento
| Numero parte | DS1230Y-120IND+ |
| PNEDA Part # | DS1230Y-120IND |
| Descrizione | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
| Produttore | Maxim Integrated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.302 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DS1230Y-120IND+ Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DS1230Y-120IND+ |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
DS1230Y-120IND+, DS1230Y-120IND+ Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 216,05 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DS1230Y-120IND+ Datasheet
- where to find DS1230Y-120IND+
- Maxim Integrated
- Maxim Integrated DS1230Y-120IND+
- DS1230Y-120IND+ PDF Datasheet
- DS1230Y-120IND+ Stock
- DS1230Y-120IND+ Pinout
- Datasheet DS1230Y-120IND+
- DS1230Y-120IND+ Supplier
- Maxim Integrated Distributor
- DS1230Y-120IND+ Price
- DS1230Y-120IND+ Distributor
DS1230Y-120IND+ Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 120ns |
| Tempo di accesso | 120ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (8x10.5) |
Produttore Microchip Technology Serie SST26 SQI® Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1.5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-USON (2x3) |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 6.5ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-TFBGA (13x15) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso 150ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-CFlatPack Pacchetto dispositivo fornitore 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed |
Produttore Micron Technology Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 8Gb (512M x 16) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 2.133GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
