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DS1230AB-120

DS1230AB-120

Solo per riferimento

Numero parte DS1230AB-120
PNEDA Part # DS1230AB-120_5B
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.688
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
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DS1230AB-120 Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1230AB-120
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1230AB-120, DS1230AB-120 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 216,05 KB)
PDFDS1230ABP-70IND+ Datasheet Copertura
DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 2 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 3 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 4 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 5 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 6 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 7 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 8 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 9 DS1230ABP-70IND+ Datasheet Pagina 10

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DS1230AB-120 Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina120ns
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-EDIP

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

24AA024HT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)

5962-9459901MXA

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

24LC04B-I/ST16KVAO

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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