DMTH6016LFDFWQ-7R
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| Numero parte | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| PNEDA Part # | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.688 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMTH6016LFDFWQ-7R Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMTH6016LFDFWQ-7R, DMTH6016LFDFWQ-7R Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 505,27 KB)
  
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DMTH6016LFDFWQ-7R Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.06W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 |
| Pacchetto / Custodia | 6-UDFN Exposed Pad |
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