DMTH32M5LPSQ-13
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| Numero parte | DMTH32M5LPSQ-13 |
| PNEDA Part # | DMTH32M5LPSQ-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.920 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMTH32M5LPSQ-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMTH32M5LPSQ-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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DMTH32M5LPSQ-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3944pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.2W (Ta), 100W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI5060-8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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