DMPH4029LFGQ-13
Solo per riferimento
Numero parte | DMPH4029LFGQ-13 |
PNEDA Part # | DMPH4029LFGQ-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.850 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DMPH4029LFGQ-13 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMPH4029LFGQ-13 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
DMPH4029LFGQ-13, DMPH4029LFGQ-13 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 313,22 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMPH4029LFGQ-13 Datasheet
- where to find DMPH4029LFGQ-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-13
- DMPH4029LFGQ-13 PDF Datasheet
- DMPH4029LFGQ-13 Stock
- DMPH4029LFGQ-13 Pinout
- Datasheet DMPH4029LFGQ-13
- DMPH4029LFGQ-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMPH4029LFGQ-13 Price
- DMPH4029LFGQ-13 Distributor
DMPH4029LFGQ-13 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | * |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / Custodia | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Nexperia Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 15W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-MLP (3.3x3.3), Power33 Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V Vgs (massimo) +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 163A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1136W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SP6 Pacchetto / Custodia SP6 |