DMP4015SPSQ-13
Solo per riferimento
Numero parte | DMP4015SPSQ-13 |
PNEDA Part # | DMP4015SPSQ-13 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.364 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
DMP4015SPSQ-13 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMP4015SPSQ-13 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
DMP4015SPSQ-13, DMP4015SPSQ-13 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 430,32 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMP4015SPSQ-13 Datasheet
- where to find DMP4015SPSQ-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMP4015SPSQ-13
- DMP4015SPSQ-13 PDF Datasheet
- DMP4015SPSQ-13 Stock
- DMP4015SPSQ-13 Pinout
- Datasheet DMP4015SPSQ-13
- DMP4015SPSQ-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMP4015SPSQ-13 Price
- DMP4015SPSQ-13 Distributor
DMP4015SPSQ-13 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 9.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4234pF @ 20V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI5060-8 |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
I prodotti a cui potresti essere interessato
EPC Produttore EPC Serie eGaN® Tipo FET N-Channel Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V Vgs (massimo) +6V, -4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Die Pacchetto / Custodia Die |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 314nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14230pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Ta), 300A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.92mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.9W (Ta), 166W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3160pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |