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DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2160UFDBQ-7
PNEDA Part # DMP2160UFDBQ-7
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2160UFDBQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2160UFDBQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMP2160UFDBQ-7, DMP2160UFDBQ-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 360,38 KB)
PDFDMP2160UFDBQ-7 Datasheet Copertura
DMP2160UFDBQ-7 Datasheet Pagina 2 DMP2160UFDBQ-7 Datasheet Pagina 3 DMP2160UFDBQ-7 Datasheet Pagina 4 DMP2160UFDBQ-7 Datasheet Pagina 5 DMP2160UFDBQ-7 Datasheet Pagina 6

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DMP2160UFDBQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds536pF @ 10V
Potenza - Max1.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)

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Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

660mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

KGF6N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

5.5V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 3.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 5.5V

Potenza - Max

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-UFLGA, CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

20-WLCSP (2.48x1.17)

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

ZXMD65P02N8TA

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 15V

Potenza - Max

1.75W

Temperatura di esercizio

-

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