Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMP2100U-7

DMP2100U-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP2100U-7
PNEDA Part # DMP2100U-7
Descrizione MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.727.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2100U-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2100U-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP2100U-7, DMP2100U-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 611,68 KB)
PDFDMP2100U-7 Datasheet Copertura
DMP2100U-7 Datasheet Pagina 2 DMP2100U-7 Datasheet Pagina 3 DMP2100U-7 Datasheet Pagina 4 DMP2100U-7 Datasheet Pagina 5 DMP2100U-7 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMP2100U-7 Datasheet
  • where to find DMP2100U-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP2100U-7
  • DMP2100U-7 PDF Datasheet
  • DMP2100U-7 Stock

  • DMP2100U-7 Pinout
  • Datasheet DMP2100U-7
  • DMP2100U-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP2100U-7 Price
  • DMP2100U-7 Distributor

DMP2100U-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds216pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)800mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

380W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SSM3K345R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23F

Pacchetto / Custodia

SOT-23-3 Flat Leads

IRF3711L

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI7194DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6590pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

STF21NM60ND

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Venduto di recente

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

M29W640FB70N6E

M29W640FB70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

CD40106BCN

CD40106BCN

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14DIP

1N6283A

1N6283A

ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL

ACS712ELCTR-20A-T

ACS712ELCTR-20A-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 20A AC/DC

IRG4BC20KDSTRRP

IRG4BC20KDSTRRP

Infineon Technologies

IGBT 600V 16A 60W D2PAK

AT25DF321-SU

AT25DF321-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 70MHZ 8SOIC

OKL-T/6-W12P-C

OKL-T/6-W12P-C

Murata Power Solutions

DC DC CONVERTER 0.591-5.5V 30W

PIC17C756A-33/L

PIC17C756A-33/L

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB OTP 68PLCC

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM