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DMP2035UVT-13

DMP2035UVT-13

Solo per riferimento

Numero parte DMP2035UVT-13
PNEDA Part # DMP2035UVT-13
Descrizione MOSFET P-CH 20V TSOT26
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.470
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP2035UVT-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP2035UVT-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP2035UVT-13, DMP2035UVT-13 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 513,67 KB)
PDFDMP2035UVT-13 Datasheet Copertura
DMP2035UVT-13 Datasheet Pagina 2 DMP2035UVT-13 Datasheet Pagina 3 DMP2035UVT-13 Datasheet Pagina 4 DMP2035UVT-13 Datasheet Pagina 5 DMP2035UVT-13 Datasheet Pagina 6

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  • DMP2035UVT-13 Distributor

DMP2035UVT-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2400pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTSOT-26
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10210pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 8 x 8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

FDT3612

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223-4

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

AON7408L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta), 20W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-EP (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

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Produttore

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Serie

U-MOSIV

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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