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DMNH6021SPDWQ-13

DMNH6021SPDWQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMNH6021SPDWQ-13
PNEDA Part # DMNH6021SPDWQ-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.138
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMNH6021SPDWQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMNH6021SPDWQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMNH6021SPDWQ-13, DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 490,68 KB)
PDFDMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Copertura
DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 2 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 3 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 4 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 5 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 6 DMNH6021SPDWQ-13 Datasheet Pagina 7

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  • DMNH6021SPDWQ-13 Distributor

DMNH6021SPDWQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12400pF @ 20V

Potenza - Max

12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

22-PowerTFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Nexperia

Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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