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DMN5L06VKQ-7

DMN5L06VKQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN5L06VKQ-7
PNEDA Part # DMN5L06VKQ-7
Descrizione MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario
1 ---------- $13,1638
100 ---------- $12,5467
250 ---------- $11,9297
500 ---------- $11,3126
750 ---------- $10,7984
1.000 ---------- $10,2842
Disponibile 161.437
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN5L06VKQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN5L06VKQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DMN5L06VKQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max250mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC, 18.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF, 1700pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-10

BSO207PNTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1013pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

P-DSO-8

SMMA511DJ-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 6V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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