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DMN3200U-7

DMN3200U-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3200U-7
PNEDA Part # DMN3200U-7
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 25.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3200U-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3200U-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN3200U-7, DMN3200U-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 279,29 KB)
PDFDMN3200U-7 Datasheet Copertura
DMN3200U-7 Datasheet Pagina 2 DMN3200U-7 Datasheet Pagina 3 DMN3200U-7 Datasheet Pagina 4 DMN3200U-7 Datasheet Pagina 5 DMN3200U-7 Datasheet Pagina 6

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DMN3200U-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)650mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

580mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AOT298L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

BSS159NH6327XTSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRL3303STRRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPI60R250CPAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

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