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DMN3060LVT-13

DMN3060LVT-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN3060LVT-13
PNEDA Part # DMN3060LVT-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3060LVT-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3060LVT-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN3060LVT-13, DMN3060LVT-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 500,47 KB)
PDFDMN3060LVT-13 Datasheet Copertura
DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 2 DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 3 DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 4 DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 5 DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 6 DMN3060LVT-13 Datasheet Pagina 7

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DMN3060LVT-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

450mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27.6pF @ 16V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-963

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3315pF @ 6V

Potenza - Max

2.67W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

X3-DSN3518-6

FDMD8280

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 40V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

12-Power3.3x5

SI6969DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

FDS6994S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.9A, 8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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