DMN3016LDN-13
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| Numero parte | DMN3016LDN-13 |
| PNEDA Part # | DMN3016LDN-13 |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.766 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMN3016LDN-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMN3016LDN-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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DMN3016LDN-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V-DFN3030-8 (Type J) |
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