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DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN3009LFV-13
PNEDA Part # DMN3009LFV-13
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3009LFV-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3009LFV-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN3009LFV-13, DMN3009LFV-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 410,18 KB)
PDFDMN3009LFV-7 Datasheet Copertura
DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 2 DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 3 DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 4 DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 5 DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 6 DMN3009LFV-7 Datasheet Pagina 7

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DMN3009LFV-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.4pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SPA

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8110pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 30.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

371nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7407pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

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