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DMN2500UFB4-7B

DMN2500UFB4-7B

Solo per riferimento

Numero parte DMN2500UFB4-7B
PNEDA Part # DMN2500UFB4-7B
Descrizione MOSFET N-CH SOT23
Produttore Diodes Incorporated
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Disponibile 4.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN2500UFB4-7B Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN2500UFB4-7B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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DMN2500UFB4-7B Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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FDD24AN06LA0

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

R6009JNJGTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

585mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

7V @ 1.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 15V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTS (D2PAK)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD4810N-35G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 54A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I-PAK

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

FDFM2P110

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

MicroFET 3x3mm

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

STS9NH3LL

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

857pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

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