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DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN2010UDZ-7
PNEDA Part # DMN2010UDZ-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.588
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN2010UDZ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN2010UDZ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN2010UDZ-7, DMN2010UDZ-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 534,75 KB)
PDFDMN2010UDZ-7 Datasheet Copertura
DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 2 DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 3 DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 4 DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 5 DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 6 DMN2010UDZ-7 Datasheet Pagina 7

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DMN2010UDZ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2665pF @ 10V
Potenza - Max700mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2535-6

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMC3016LDV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Potenza - Max

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8

SP8J1TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.42V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Potenza - Max

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

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