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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Solo per riferimento

Numero parte DMG1029SV-7
PNEDA Part # DMG1029SV-7
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.498.680
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMG1029SV-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMG1029SV-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMG1029SV-7, DMG1029SV-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 288,5 KB)
PDFDMG1029SV-7 Datasheet Copertura
DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 2 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 3 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 4 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 5 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 6 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 7 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 8 DMG1029SV-7 Datasheet Pagina 9

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DMG1029SV-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA, 360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
Potenza - Max450mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta), 1.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 120pF @ 15V

Potenza - Max

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

UF6

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Potenza - Max

7.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

204A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 35.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 10V

Potenza - Max

1130W

Temperatura di esercizio

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