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DME800

DME800

Solo per riferimento

Numero parte DME800
PNEDA Part # DME800
Descrizione RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.308
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DME800 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDME800
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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DME800 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione1.025GHz ~ 1.15GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9dB ~ 10dB
Potenza - Max2500W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 600mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55ST-1
Pacchetto dispositivo fornitore55ST-1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF10031

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

30W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

332A-03

Pacchetto dispositivo fornitore

332A-03, Style 2

JAN2N4957

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-72-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

BFP460H6433XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.8V

Frequenza - Transizione

22GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

Guadagno

12.5dB ~ 26.5dB

Potenza - Max

230mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFR 183W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

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