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DMC3060LVT-7

DMC3060LVT-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC3060LVT-7
PNEDA Part # DMC3060LVT-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC3060LVT-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC3060LVT-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC3060LVT-7, DMC3060LVT-7 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 485,38 KB)
PDFDMC3060LVT-7 Datasheet Copertura
DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 2 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 3 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 4 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 5 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 6 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 7 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 8 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 9 DMC3060LVT-7 Datasheet Pagina 10

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  • DMC3060LVT-7 Distributor

DMC3060LVT-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

523pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V, 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

132mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10552pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W (Ta), 50W (Tc)

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