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DMC2990UDJQ-7

DMC2990UDJQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC2990UDJQ-7
PNEDA Part # DMC2990UDJQ-7
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.968
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC2990UDJQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC2990UDJQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC2990UDJQ-7, DMC2990UDJQ-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 602,38 KB)
PDFDMC2990UDJQ-7B Datasheet Copertura
DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 2 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 3 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 4 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 5 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 6 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 7 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 8 DMC2990UDJQ-7B Datasheet Pagina 9

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DMC2990UDJQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN and P-Channel Complementary
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Potenza - Max350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-963
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-963

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Potenza - Max

27W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

4 P-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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