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DMC2004LPK-7

DMC2004LPK-7

Solo per riferimento

Numero parte DMC2004LPK-7
PNEDA Part # DMC2004LPK-7
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMC2004LPK-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMC2004LPK-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMC2004LPK-7, DMC2004LPK-7 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 347,63 KB)
PDFDMC2004LPK-7 Datasheet Copertura
DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 2 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 3 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 4 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 5 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 6 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 7 DMC2004LPK-7 Datasheet Pagina 8

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DMC2004LPK-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C750mA, 600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Potenza - Max500mW
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreX1-DFN1612-6

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDZ1323NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2055pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFBGA, WLCSP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

95A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

Potenza - Max

462W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

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SP3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 30V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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