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DHH55-36N1F

DHH55-36N1F

Solo per riferimento

Numero parte DHH55-36N1F
PNEDA Part # DHH55-36N1F
Descrizione DIODE ARRAY GP 1800V 60A I4PAC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DHH55-36N1F Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDHH55-36N1F
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
DHH55-36N1F, DHH55-36N1F Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 339,82 KB)
PDFDHH55-36N1F Datasheet Copertura
DHH55-36N1F Datasheet Pagina 2 DHH55-36N1F Datasheet Pagina 3 DHH55-36N1F Datasheet Pagina 4 DHH55-36N1F Datasheet Pagina 5

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DHH55-36N1F Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1800V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.04V @ 60A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)230ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr200µA @ 1800V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-3
Pacchetto dispositivo fornitorei4-PAC™

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GeneSiC Semiconductor

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

VBT2080C-M3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

600µA @ 80V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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