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DGD2101S8-13

DGD2101S8-13

Solo per riferimento

Numero parte DGD2101S8-13
PNEDA Part # DGD2101S8-13
Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.734
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DGD2101S8-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDGD2101S8-13
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
DGD2101S8-13, DGD2101S8-13 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 1.357,6 KB)
PDFDGD2101S8-13 Datasheet Copertura
DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 2 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 3 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 4 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 5 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 6 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 7 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 8 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 9 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 10 DGD2101S8-13 Datasheet Pagina 11

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DGD2101S8-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)290mA, 600mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)70ns, 35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.45V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2.5A

Tipo di ingresso

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SO

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC4626CPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 6V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

33ns, 27ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

UCC27211DPRR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

1.3V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.2ns, 5.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-WSON (4x4)

TC4405COA713

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 40ns (Max)

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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