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DF80R12W2H3FB11BOMA1

DF80R12W2H3FB11BOMA1

Solo per riferimento

Numero parte DF80R12W2H3FB11BOMA1
PNEDA Part # DF80R12W2H3FB11BOMA1
Descrizione MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.472
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DF80R12W2H3FB11BOMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDF80R12W2H3FB11BOMA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
DF80R12W2H3FB11BOMA1, DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 718,7 KB)
PDFDF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Copertura
DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 2 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 3 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 4 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 5 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 6 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 7 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 8 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 9 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 10 DF80R12W2H3FB11BOMA1 Datasheet Pagina 11

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  • DF80R12W2H3FB11BOMA1 Distributor

DF80R12W2H3FB11BOMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodo-
Tecnologia-
Tensione - Picco inverso (Max)-
Corrente - Media Rettificata (Io)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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TS25P07GHC2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, TS-6P

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-6P

G2SBA60-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 750mA

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBL

Pacchetto dispositivo fornitore

GBL

GBJ2504-03-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

DF210ST-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DFS

KBPC5004W

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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