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DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Solo per riferimento

Numero parte DF160R12W2H3FB11BPSA1
PNEDA Part # DF160R12W2H3FB11BPSA1
Descrizione MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.766
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DF160R12W2H3FB11BPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDF160R12W2H3FB11BPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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DF160R12W2H3FB11BPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieEconoPACK™2
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Potenza - Max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.35nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT50DU170TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FZ500R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

2000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 500A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

135nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

HIGFED1BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT300TL65G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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