DF11MR12W1M1B11BOMA1
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| Numero parte | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Part # | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.978 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
DF11MR12W1M1B11BOMA1, DF11MR12W1M1B11BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 580,74 KB)
  
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Potenza - Max | 20mW |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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