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DDTB114TC-7-F

DDTB114TC-7-F

Solo per riferimento

Numero parte DDTB114TC-7-F
PNEDA Part # DDTB114TC-7-F
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.140
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata ott 1 - ott 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DDTB114TC-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDDTB114TC-7-F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DDTB114TC-7-F, DDTB114TC-7-F Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 109,69 KB)
PDFDDTB113EC-7-F Datasheet Copertura
DDTB113EC-7-F Datasheet Pagina 2 DDTB113EC-7-F Datasheet Pagina 3

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DDTB114TC-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

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Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

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PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

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Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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