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DBLS156GHC1G

DBLS156GHC1G

Solo per riferimento

Numero parte DBLS156GHC1G
PNEDA Part # DBLS156GHC1G
Descrizione BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DBLS
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DBLS156GHC1G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDBLS156GHC1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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DBLS156GHC1G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitoreDBLS

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Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Micro Commercial Co

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Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

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Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

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Tensione - Picco inverso (Max)

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Corrente - Media Rettificata (Io)

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

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Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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