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DB156G

DB156G

Solo per riferimento

Numero parte DB156G
PNEDA Part # DB156G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DB
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DB156G Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDB156G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
DB156G, DB156G Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 598,74 KB)
PDFDB157G Datasheet Copertura
DB157G Datasheet Pagina 2 DB157G Datasheet Pagina 3

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DB156G Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)1.5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Pacchetto dispositivo fornitoreDB

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Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TBSL

3N248-E4/45

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBPM

Pacchetto dispositivo fornitore

KBPM

GBU4JL-6088E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

MSDM50-18

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.8kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 1800V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

M2-1

KBP157G C2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBP

Pacchetto dispositivo fornitore

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