CYD09S18V18-200BBXC
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Numero parte | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | CYD09S18V18-200BBXC | ||||||||||||||||||
Descrizione | IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA | ||||||||||||||||||
Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 5.568 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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CYD09S18V18-200BBXC Risorse
Brand | Cypress Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | CYD09S18V18-200BBXC |
Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
Datasheet |
CYD09S18V18-200BBXC, CYD09S18V18-200BBXC Datasheet
(Totale pagine: 53, Dimensioni: 1.276,17 KB)
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CYD09S18V18-200BBXC Specifiche
Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
Serie | - |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Dimensione della memoria | 9Mb (512K x 18) |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Frequenza di clock | 200MHz |
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
Tempo di accesso | 3.3ns |
Tensione - Alimentazione | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 256-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-FBGA (17x17) |
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