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CY7C199C-12VXI

CY7C199C-12VXI

Solo per riferimento

Numero parte CY7C199C-12VXI
PNEDA Part # CY7C199C-12VXI
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C199C-12VXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C199C-12VXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C199C-12VXI, CY7C199C-12VXI Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 256,12 KB)
PDFCY7C199CL-15VXCT Datasheet Copertura
CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 2 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 3 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 4 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 5 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 6 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 7 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 8 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 9 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 10 CY7C199CL-15VXCT Datasheet Pagina 11

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CY7C199C-12VXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOJ

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-VFBGA (11.5x13)

AT27BV020-15JC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

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25LC010A-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Insignis Technology Corporation

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

4.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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