Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CY7C1515V18-200BZC

CY7C1515V18-200BZC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1515V18-200BZC
PNEDA Part # CY7C1515V18-200BZC
Descrizione IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 10 - nov 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1515V18-200BZC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1515V18-200BZC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1515V18-200BZC, CY7C1515V18-200BZC Datasheet (Totale pagine: 32, Dimensioni: 733,64 KB)
PDFCY7C1515V18-250BZC Datasheet Copertura
CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 2 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 3 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 4 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 5 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 6 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 7 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 8 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 9 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 10 CY7C1515V18-250BZC Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • CY7C1515V18-200BZC Datasheet
  • where to find CY7C1515V18-200BZC
  • Cypress Semiconductor

  • Cypress Semiconductor CY7C1515V18-200BZC
  • CY7C1515V18-200BZC PDF Datasheet
  • CY7C1515V18-200BZC Stock

  • CY7C1515V18-200BZC Pinout
  • Datasheet CY7C1515V18-200BZC
  • CY7C1515V18-200BZC Supplier

  • Cypress Semiconductor Distributor
  • CY7C1515V18-200BZC Price
  • CY7C1515V18-200BZC Distributor

CY7C1515V18-200BZC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

I prodotti a cui potresti essere interessato

CAT24C208WI-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (256 x 8 x 4)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MTFC128GAPALNA-AIT ES

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

W9812G2KB-6

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

24AA256-E/SM

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIJ

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

556-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

556-WFBGA (12.4x12.4)

Venduto di recente

LBM2016T330J

LBM2016T330J

Taiyo Yuden

FIXED IND 33UH 125MA 3.6 OHM SMD

MX25U3235FM2I-10G

MX25U3235FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOP

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

PM5022-101M-RC

PM5022-101M-RC

Bourns

FIXED IND 100UH 1.7A 190 MOHM

MC9S08DN16ACLC

MC9S08DN16ACLC

NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP

ES1JAF

ES1JAF

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

LTM4623IY#PBF

LTM4623IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 3A

BT137S-600D,118

BT137S-600D,118

WeEn Semiconductors

TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK

AD8250ARMZ-R7

AD8250ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

SDF DF128S

SDF DF128S

Cantherm

TCO 250VAC 10A 128C(262F) AXIAL

ADUM1201BRZ

ADUM1201BRZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC