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CY7C1413AV18-250BZXC

CY7C1413AV18-250BZXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1413AV18-250BZXC
PNEDA Part # CY7C1413AV18-250BZXC
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
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Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1413AV18-250BZXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1413AV18-250BZXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1413AV18-250BZXC, CY7C1413AV18-250BZXC Datasheet (Totale pagine: 31, Dimensioni: 729,17 KB)
PDFCY7C1426AV18-250BZC Datasheet Copertura
CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 2 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 3 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 4 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 5 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 6 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 7 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 8 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 9 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 10 CY7C1426AV18-250BZC Datasheet Pagina 11

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CY7C1413AV18-250BZXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia165-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore165-FBGA (15x17)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MT48LC16M16A2TG-6A:D TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

S25FL512SAGMFA011

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

TE28F256J3D95A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

95ns

Tempo di accesso

95ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

THGBMNG5D1LBAIL

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (MLC)

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-WFBGA (11.5x13)

IDT71V3579S75PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

Venduto di recente

BLM15AG221SN1D

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TAJE687K006RNJ

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CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917

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TPSB336K016R0350

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