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CY7C1370DV25-250AXCT

CY7C1370DV25-250AXCT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1370DV25-250AXCT
PNEDA Part # CY7C1370DV25-250AXCT
Descrizione IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.606
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1370DV25-250AXCT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1370DV25-250AXCT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1370DV25-250AXCT, CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet (Totale pagine: 29, Dimensioni: 891,12 KB)
PDFCY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Copertura
CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 2 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 3 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 4 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 5 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 6 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 7 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 8 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 9 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 10 CY7C1370DV25-250AXCT Datasheet Pagina 11

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CY7C1370DV25-250AXCT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieNoBL™
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria18Mb (512K x 36)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso2.6ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore100-TQFP (14x20)

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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Surface Mount

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

152-VBGA (14x18)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Quad Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

128-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

128-TQFP (14x20)

IS29GL256S-10TFV020

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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