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CY7C136E-25JXIT

CY7C136E-25JXIT

Solo per riferimento

Numero parte CY7C136E-25JXIT
PNEDA Part # CY7C136E-25JXIT
Descrizione IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.734
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C136E-25JXIT Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C136E-25JXIT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C136E-25JXIT, CY7C136E-25JXIT Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 525,31 KB)
PDFCY7C136E-25JXIT Datasheet Copertura
CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 2 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 3 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 4 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 5 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 6 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 7 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 8 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 9 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 10 CY7C136E-25JXIT Datasheet Pagina 11

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CY7C136E-25JXIT Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Asynchronous
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia52-LCC (J-Lead)
Pacchetto dispositivo fornitore52-PLCC (19.13x19.13)

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-VFBGA (7.5x13)

NV25320DTHFT3G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

71V416S15BEI8

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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