CY7C1318CV18-250BZXC
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| Numero parte | CY7C1318CV18-250BZXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | CY7C1318CV18-250BZXC | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA | ||||||||||||||||||
| Produttore | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 61 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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CY7C1318CV18-250BZXC Risorse
| Brand | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CY7C1318CV18-250BZXC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CY7C1318CV18-250BZXC, CY7C1318CV18-250BZXC Datasheet
(Totale pagine: 29, Dimensioni: 1.228,93 KB)
  
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CY7C1318CV18-250BZXC Specifiche
| Produttore | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
| Dimensione della memoria | 18Mb (1M x 18) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 250MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 165-LBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 165-FBGA (13x15) |
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