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CY7C131-25NXC

CY7C131-25NXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C131-25NXC
PNEDA Part # CY7C131-25NXC
Descrizione IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP
Produttore Cypress Semiconductor
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Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C131-25NXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C131-25NXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C131-25NXC, CY7C131-25NXC Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 474,92 KB)
PDFCY7C131A-15JXI Datasheet Copertura
CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 2 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 3 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 4 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 5 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 6 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 7 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 8 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 9 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 10 CY7C131A-15JXI Datasheet Pagina 11

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CY7C131-25NXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Dual Port, Asynchronous
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia52-QFP
Pacchetto dispositivo fornitore52-PQFP (10x10)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

RC28F256P33TFE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Axcell™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

95ns

Tempo di accesso

95ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-EasyBGA (8x10)

23A1024-E/P

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

16MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2.2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MTFC4GMVEA-IT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (128K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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